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详解mos管工作几种常见失效分析-AOS美国万代半导体代理商泰德兰

  下面对mos失效的原因总结以下六点,然后对1,2重点进行分析:1:雪崩失效(电压失效),也就是我们常说的漏源间的BVdss电压超过mosFET的额定电压,并且超过达到了一定的能力从而导致mosFET失效。2:MOS管失效(电流失效),既超出mosFET安全工作区引起失效,分为Id超出器件规格失效以及Id过大,损耗过高器件长时间热积累而导致的失效。3:体二极管失效:在桥式、LLC等有用到体二极管进行续流的拓扑结构中,由于体二极管遭受破坏而导致的失效。4:谐振失效:在并联使用的过程中,栅极及电路寄生参数导致震荡引起的失效。5:静电失效:在秋冬季节,由于人体及设备静电而导致的器件失效。6:栅极电压失效:由于栅极遭受异常电压尖峰,而导致栅极栅氧层失效。雪崩失效分析(电压失效)到底什么是雪崩失效呢,简单来说mosFET在电源板上由于母线电压、变压器反射电压、漏感尖峰电压等等系统电压叠加在mosFET漏源之间,导致的一种失效模式。简而言之就是由于就是mosFET漏源极的电压超过其规定电压值并达到一定的能量限度而导致的一种常见的失效模式。下面的图片为雪崩测试的等效原理图,做为电源工程师可以简单了解下。

  可能我们经常要求器件生产厂家对我们电源板上的mosFET进行失效分析,大多数厂家都仅仅给一个EAS.EOS之类的结论,那么到底我们怎么区分是否是雪崩失效呢,下面是一张经过雪崩测试失效的器件图,我们可以进行对比从而确定是否是雪崩失效。雪崩失效的预防措施雪崩失效归根结底是电压失效,因此预防我们着重从电压来考虑。具体可以参考以下的方式来处理。1:合理降额使用,目前行业内的降额一般选取80%-95%的降额,具体情况根据企业的保修条款及电路关注点进行选取。2:合理的变压器反射电压。3:合理的RCD及TVS吸收电路设计。4:大电流布线尽量采用粗、短的布局结构,尽量减少布线:选择合理的栅极电阻Rg。6:在大功率电源中,可以根据需要适当的加入RC减震或齐纳二极管进行吸收。

  MOS管失效(电流失效)再简单说下第二点,MOS管失效MOS管失效是指电源在运行时异常的大电流和电压同时叠加在mosFET上面,造成瞬时局部发热而导致的破坏模式。或者是芯片与散热器及封装不能及时达到热平衡导致热积累,持续的发热使温度超过氧化层限制而导致的热击穿模式。关于MOS管各个线的参数限定值可以参考下面图片。

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